FQPF11N50CF

?低门电荷(典型28 nC)

这些N沟道增強型功率场效应晶体管

采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术生产

这种先进的技术专门用于降低通态电阻,提供卓越的开关性能

并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。

这些器件非常适合高效率开关模式电源

有源功率因数校正,基于半桥拓扑的电子灯镇流器

MOSFET(金属氧化粅)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司

地址:广东省深圳市福田区华强北都会轩1913

参考资料

 

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