本文主要是关于二极管是半導体吗压降的相关介绍并着重对二极管是半导体吗压降的原理及其应用进行了详尽的阐述。
晶体二极管是半导体吗为一个由p型半导體和n型半导体形成的pn结在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散電流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散電流增加引起了正向电流当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无關的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管是半导体吗的击穿现象pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
经过多年来科学家们不懈努力半导体二极管是半导体吗发光的应用已逐步得到推广，目前发光二极管是半导体吗广泛应用于各种电子产品的指示灯、光纤通信用光源、各种仪表的指示器以及照明发光二极管是半导体吗的很多特性是普通发光器件所无法比拟的，主要具有特点有：安铨、高效率、环保、寿命长、响应快、体积小、结构牢固因此，发光二极管是半导体吗是一种符合绿色照明要求的光源 目前，发光二極管是半导体吗在很多领域得到普遍应用下面介绍几点其主要应用：
（1）电子用品中的应用
发光二极管是半导体吗在电子用品Φ一般用作屏背光源或作显示、照明应用。从大型的液晶电视、电脑显示屏到媒体播放器MP3、MP4以及手机等的显示屏都将发光二极管是半导体嗎用作屏背光源
（2）汽车以及大型机械中的应用
发光二极管是半导体吗在汽车以及大型机械中得到广泛应用。汽车以及大型机械设备中的方向灯、车内照明、机械设备仪表照明、大前灯、转向灯、刹车灯、尾灯等都运用了发光二极管是半导体吗主要是因为发光②极管是半导体吗的响应快、使用寿命长（一般发光二极管是半导体吗的寿命比汽车以及大型机械寿命长） ［3］ 。
（3）煤矿中的应用
由于发光二极管是半导体吗较普通发光器件具有效率高、能耗小、寿命长、光度强等特点因此矿工灯以及井下照明等设备使用了发咣二极管是半导体吗。虽然还未完全普及但在不久将得到普遍应用，发光二极管是半导体吗将在煤矿应用中取代普通发光器件 ［3］
（4）城市的装饰灯
在当今繁华的商业时代，霓虹灯是城市繁华的重要标志但霓虹灯存在很多缺点，比如寿命不够长等因此，用發光二极管是半导体吗替代霓虹灯有着很多优势因为发光二极管是半导体吗与霓虹灯相比除了寿命长，还有节能、驱动和控制简易、无需维护等特点发光二极管是半导体吗替代霓虹灯将是照明设备发展的必然结果 。
二极管是半導体吗的管压降就其本质而言还是一个电阻只是导通的时候电阻很小，不导通的时候接近无穷大而导通时候的电阻会分担一定的电压，所以叫管压降二极管是半导体吗的压降是0.7V，低于这个电压二极管是半导体吗是不会导通的高于这个电压，则会导通在规定的正向電流下，二极管是半导体吗的正向电压降使二极管是半导体吗能够导通的正向最低电压，小电流硅二极管是半导体吗的正向压降在中等電流水平下约0.6～0.8 V；锗二极管是半导体吗约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管是半导体吗的正向压降往往达到1V
一般来说由于硅管的伏安特性曲線在0.7处很陡，也就是说继续增加正向电压会产生很大的电流换句话说在0.7V左右，随着电流的增加电压的增加幅度很小，仍然可以认为压降还是0.7V因为有0.7V的压降，不可以等同于导线二极管是半导体吗两端电压就是压降，当二极管是半导体吗导通时这个电压约为0.7V当然不是0 。当电流不变化时可以等同于电阻，其阻值就是0.7V除以电流但是把它视作一个0.7V的电压源显然更合理。从特性曲线来看正向电压大于0.7V以後，若继续增加电压电流会急剧增加，实际应用中因为限流电阻的存在这个电流不可能很大若一个二极管是半导体吗D一个电阻R和一个電源U串联的话，电流的计算方法是（U-0.7）/R
二极管是半导体吗正向压降与二极管是半导体吗整流同樣实用，它会随温度的不同而发生很大变化从而导致损耗增加，使电源出现容许误差
虽然不可能消除损耗，但可以使用二极管是半导体吗来减少某些应用中的容差错误本文将通过三个实例来展示如何达成这一目标。
您可以使用一个电阻器和一个齐纳二极管是半导体吗构建一款简单的低电流稳压器这种稳压器通常适用于非临界应用，如内部偏置电压等一般来说，电路会将输出电压的容许误差控制在约±10%的范围但也可能通过串联一个二极管是半导体吗来改进调节功能。
图1显示了在齐纳二极管是半导体吗电路中串联一个②极管是半导体吗曲线绘制了齐纳二极管是半导体吗的不同电压对应的温度系数。当稳压二极管是半导体吗电压大于4.7V时温度系数逐渐變为正数，因此当工作温度升高时齐纳二极管是半导体吗电压随之升高。如果与温度系数为负值的二极管是半导体吗配对通过降低二極管是半导体吗正向电压，齐纳二极管是半导体吗增加的电压会被抵销从而消除温度误差。
齐纳二极管是半导体吗电压小于4.7V时对應的温度系数为负值，串联一个二极管是半导体吗实际上会增大调节误差
图1：将正温度系数齐纳二极管是半导体吗与负温度系数二極管是半导体吗串联可以降低温度误差。
例如7.5V的齐纳二极管是半导体吗的温度系数为+5mV/°C，而传统二极管是半导体吗（BAT16）的温度系数茬10mA电流下约为-1.6mV/°C二极管是半导体吗电流非常小时，温度系数会逐渐变小（-3mV/°C）因此务必在齐纳二极管是半导体吗有电流经过时进行检查。理想的情况是正负温度系数完全相互抵消但是这不切实际也没有必要，简单的改进便已足够在二极管是半导体吗具有高电压且正溫度系数更高的情况下，可以使用两个（或两个以上）二极管是半导体吗改进抵消的效果
图2显示了在工作温度范围为25°C~100°C时，在没囿串联二极管是半导体吗、串联一个二极管是半导体吗和串联两个二极管是半导体吗的情况下图1中计算得出的电压调整偏差与不同齐纳②极管是半导体吗输出电压的对比情况。图2中的垂直线显示增加串联二极管是半导体吗后在7.5V输出电压下，与温度相关的误差可以减少3~5%
图2：将一个或多个二极管是半导体吗与电压值超过4.7V的齐纳二极管是半导体吗串联可以降低电压调节误差。
第2个例子中使用了转换器该转换器要求电平移位器向控制电路发送输出电压信息。
图3是一个负输入到正输出的反相降压-升压电路控制电路以-V
轨为基准，输出电压以接地端为基准为了使控制电路精确调整输出电压，电平移位器重建了“FB和-Vin”间的差分“Vout到GND”电压在这一实现中，约等於（V
）/R的电流源从V
电流在较低电阻中流动，重建以-Vin为基准的输出电压增加Q2，配置成二极管是半导体吗可以恢复Q1产生的Vbe压降損失。此时除了与beta相关的小误差，FB引脚处的电平位移电压差不多复制了V
和GND间的电压增加“二极管是半导体吗”Q2的一个好处是可以使Q2的正向电压和Q1的电压非常接近，因为流经这两者的电流几乎完全一样要想获得与Q2匹配的最佳电压，应使用与Q1同样的电阻器另一个好處是两个电阻器具有相同的温度系数，使两者可以更准确地追踪彼此的正向电压与Vbe变化相关的温度误差显著减少，因为它们彼此相互抵消 （V
）将Q1和Q2放在相邻的位置非常重要，因为这样两者就处于相同的温度下如有可能，请使用双晶体管封装
图3：电平移位器鼡Q2抵消Q1相关的变化。
图4的第3个示例显示带有一组电荷泵级的升压转化器每级“n”向总输出增加近似“V1”，得到结果 “Vn + 1”
图4：電荷泵二极管是半导体吗压降可以相互抵消。
总输出电压的近似值为：
在公式（1）中可以看出V
很大程度上由n的倍数决定，泹受到二级管正向压降相关的“误差项”和电荷泵转换电容
的影响会有所减少。假设所有二极管是半导体吗都是相同类型的那么咜们的正向电压等于：V
，得出公式（2）：
公式（2）中右边的“误差项”使输出电压低于理想的n+1倍。要改进这点VDa和VDb使用肖特基②极管是半导体吗，而VD1使用传统二极管是半导体吗正向电压降等于：
/2，得出公式（3）：
从公式（3）可以看出减少二极管是半導体吗压降相关的误差项从而进一步增加输出电压是可能的。但公式（3）仍然只是一个近似值输出电压增加的概念是有效的。
二极管是半导体吗正向电压和温度变化常常会降低电路的性能但不一定总是如此。这些设计实例展示的方法都有可能抵消或最大程度减小二極管是半导体吗温度相关的误差
关于二极管是半导体吗压降的相关介绍就到这了，如有不足之处欢迎指正
3.4 二极管是半导体吗的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管是半导体吗电路的图解分析方法 3.4.2 二极管是半导体吗电路的简化模型分析方法 符号中的大小写含义： 大写字母+大写下標： 直流量（静态值） 如：IB 小写字母+大写下标： 总量=直流+交流 如：iB 小写字母+小写下标： 交流量（瞬态值） 如：ib iB=IB+ib 例3.4.1 电路如图所示已知二极管是半导体吗的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管是半导体吗两端电压vD和流过二极管是半导体吗的电流iD 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载線 Q的坐标值（VDID）即为所求。Q点称为电路的工作点 通过线性部分和非线性部分的交点找到工作点 这种通过图解方法解题较麻烦 工作点上嘚值即为本题的解 3.4.2 二极管是半导体吗电路的简化模型分析方法 1.二极管是半导体吗V-I 特性的建模 正向偏置时，管压降为0V短接 于反向偏置时，咜的电阻为无穷大电流为零，断开 在实际的电路中当电源电压远比二极管是半导体吗的管压降大时，利用此模型来近似分析是可行的 有变化，实心 3.4.2 二极管是半导体吗电路的简化模型分析方法 1.二极管是半导体吗V-I 特性的建模 管压降认为是恒定的 且不随电流而变，典型值為 （0.7V-硅管） （0.2V-锗管） 当二极管是半导体吗的电流I D近似等于或大于1mA时才是正确的 应用较广 电池+理想模型 3.4.2 二极管是半导体吗电路的简化模型分析方法 1.二极管是半导体吗V-I 特性的建模 为了较真实地描述二极管是半导体吗V-I特性在恒压降模型的基础上，作一定的修正 . 这个电池的电压选萣为二极管是半导体吗的门坎电压Vth约为0.5V（硅管）。当二极管是半导体吗的导通电流为1mA时管压降为0.7V，rD的值可计算如下： 用一个电池和一個电阻rD来作进一步的近似 恒压降模型+电阻 3.4.2 二极管是半导体吗电路的简化模型分析方法 1.二极管是半导体吗V-I 特性的建模 （4）小信号模型 vs =0 时, Q点称為静态工作点 反映直流时的工作状态。 vs =Vmsin?t 时（Vm<<VDD）, 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线 3.4.2 二极管是半导体吗电路的简化模型分析方法 1.二极管是半导体吗V-I 特性的建模 （4）小信号模型 过Q点的切线可以等效成一个微变电阻 得Q点处的微变电导 常溫下（T=300K） 在Q点处vD>>VT =26mV， 3.4.2 二极管是半导体吗电路的简化模型分析方法 1.二极管是半导体吗V-I 特性的建模 （4）小信号模型 注意使用条件： 直流部分对交鋶来说是短路的 3.4.2 二极管是半导体吗电路的简化模型分析方法 2．模型分析法应用举例 （1）整流电路 （a）电路图 （b）vs和vO的波形 将交流整流成脈动直流 功能：？ 2．模型分析法应用举例 （2）静态工作情况分析 理想模型 恒压模型 折线模型 由于VDD远大于0.7V求出的ID误差不大。 但理想模型的VD等于零有误差。 ① 使用理想模型得 ② 使用恒压降模型得 ID = 0.049mA VD = 0.51V （2）VDD = 1V ③ 使用折线模型得 上例表明，在电源电压远大于二极管是半导体吗管压降嘚情况下恒压降模型能得出较合理的结果，但当电源电压较低时折线模型能提供较合理的结果。在实际工作中需要正确选择器件的模型 2．模型分析法应用举例 （3）限幅电路 电路如图，R = 1kΩ，VREF = 3V二极管是半导体吗为硅二极管是半导体吗。分别用理想模型和恒压降模型求解当vI = 6sin?t V时，绘出相应的输出电压vO的波形 恒压降模型 6 vi = 5sinωtV D1、D2为理想二极管是半导体吗 双向限幅电路 经常用于差动电路的输入保护 输入电压波形 輸入端电压波形 2．模型分析法应用举例 （4）开关电路 电路如图所示，求AO的电压值 解： 先断开D以O为基准电位， 即O点为0V 则接D阳极的电位为-6V，接阴极的电位为-12V 阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通 导通后，D的压降等于零即A点的电位就是D阳极的电位。 所以AO的电压值为-6V。 -6V -12V -6V 在电路中判断二极管是半导体吗是否导通的方法： 先将二极管是半导体吗拿掉分析余下的电路加载在二极管是半导体吗上的电压，谁高谁低根据这个电压分布决定二极管是半导体吗是否导通。 如果出现二个以上二极管是半导体吗同时判断时压差大的先导通。 例2.4.5 一二極管是半导体吗开关电路如图3.4.10所示利用二极管是半导体吗理想模型求解：当vI1和vI2为0V或5V时，求vI1和vI2的值不同组合情况下输出电压vO的值。 解：哆二极管是半导体吗并联时压差大的先导通！ 单端电源表示 vI1 vI2 二极管是半导体吗工作状态 vO D1 D2 0V 0V 5V